【シリコンウェハー製造】
スライス
シリコンインゴットを、決められた厚み(200μm〜3000μmの間)で切断します。。
熱処理
切り出したウェハーを600°C〜650°Cのアニール炉に入れ、不純物を 取り除き抵抗を安定させます。その後急冷し製品を400°Cまで冷まします。
面取り(ベベリング)
品質を強化する為、角の立ったエッジ部分を研磨します。
ラップ
ラッピングマシーンにて研磨し厚みをそろえます。
洗浄・検査
ウェハーを洗浄し目視検査を行い、X線検査装置、抵抗測定器、 P/N判定器などを使用し、面方位・OFノッチ方位を測定します。
出荷(弊社はここまで)
ご希望の方のみ
ポリッシュ加工までご希望の方は、弊社協力企業による加工後出荷可能です。
エッチング加工
混酸ウェットエッチングにより不要な層の除去を行います。
ポリッシュ加工
研磨スラリー（酸化セリウムや、コロイダルスラリー）を使って、鏡面に仕上げます。 ※パーティクル管理なども含みます。
電子機器に必要な半導体製造の前工程である前工程である単結晶シリコン及び多結晶シリコンのスライス加工を行っています。
シリコンインゴットを、決められた厚み（200μｍ〜3000μｍの間）で研磨します。
切り出したウェハーを600℃〜650℃のアニール炉に入れ、不純物を取り除き抵抗を安定させます。その後急冷し製品を400℃まで冷まします。
品質を強化する為、角の立ったエッジ部分を研磨します。
ラッピングマシーンにて研磨し厚みをそろえます。
＊ポリッシュをご希望の場合
洗浄・検査からポリッシュ→納品となります
サイズダウン
シリコンウェハーを大口径から小口径へ無駄なく切り出します。 サイズダウン可能な厚みは400μm〜1500μm。
熱処理
切り出したウェハーを600°C〜650°Cのアニール炉に入れ、不純物を 取り除き抵抗を安定させます。その後急冷し製品を400°Cまで冷まします。
面取り(ベベリング)
品質を強化する為、角の立ったエッジ部分を研磨します。
ラップ
ラッピングマシーンにて研磨し厚みをそろえます。
洗浄・検査
ウェハーを洗浄し目視検査を行い、X線検査装置、抵抗測定器、 P/N判定器などを使用し、面方位・OFノッチ方位を測定します。
出荷(弊社はここまで)
ご希望の方のみ
ポリッシュ加工までご希望の方は、弊社協力企業による加工後出荷可能です。
エッチング加工
混酸ウェットエッチングにより不要な層の除去を行います。
ポリッシュ加工
研磨スラリー（酸化セリウムや、コロイダルスラリー）を使って、鏡面に仕上げます。 ※パーティクル管理なども含みます。
| 母材ウェハー | 加工ウェハーサイズおよび 取れる枚数 |
|---|---|
| Φ12" | Φ6"×2枚取り(OF57.7mmにも対応) |
| Φ5"×3枚取り | |
| Φ4"×5枚取り | |
| Φ3"×8枚取り | |
| Φ2"×18枚取り | |
| Φ8" | Φ6"×1枚取り(OF57.5mm及びノッチ作成対応) |
| Φ5"×1枚取り | |
| Φ4"×2枚取り | |
| Φ3"×4枚取り | |
| Φ2.5"×4枚取り | |
| Φ2"×8枚取り | |
| Φ6" | Φ5"×1枚取り |
| Φ4"×1枚取り | |
| Φ3"のみは1枚取り・Φ3"×1 または Φ2"×2の3枚取り | |
| Φ2"×5枚取り ※レーザーマスクがあるものは、4枚取りになる. | |
| Φ5" | Φ4"×1枚取り |
| Φ3"×1枚取り | |
| Φ2"×3枚取り | |
| Φ4" | Φ3"×1枚取り |
| Φ3" | Φ2"×1枚取り |
※注意事項
・OF(ノッチ)方位<100>の材料も45°カットすることでOF方式<110>にできます。
・面取り前にOF方位測定し、面取り時補正にて±1°クリアできます。
・02"~06"までの真円加工も可能です。
・上記サイズダウン品は熱処理~面取り~ラップまで加工できます。
| 結晶軸 | OF 軸 | ノッチ軸 |
| 100・111 | 110・100・111 | 110・100 |
